外媒最新报导指称，苹果正在打算替iPhone 16 Pro系列改用更便宜的NAND快闪存储器，将会影响最顶规的1TBiPhone 16 Pro机型读写速度。
根据 DigiTimes 最新消息指出，苹果正考虑降低 iPhone 16 Pro 零件成本，打算替 1TB iPhone 快闪存储器从高价 TLC NAND 改用采用价格更低的 QLC 四层单元闪存，外界认为，将会导致新款 iPhone 读取效能会变慢。
目前苹果替iPhone使用的储存芯片是采用三级单元TLC快闪存储器，如后续改采用四级单元QLC NAND，优势能在更小空间内塞入更多储存空间，容量提升成本也更低，QLC缺点就是读写速度相对比TLC较慢。
且QLC NAND耐用性和可靠性也明显低于TLC NAND，在处理持续写入作业效率会较低，苹果也可能利用特定的系统优化缓解这些问题。
报导也称，苹果会打算采用价格较低廉QLC NAND闪存，主要原因是打算替iPhone 16 Pro系列提供2TB储存空间，如以1TBiPhone 15 Pro Max售价为58,900元，比起512GB机型贵7,000元，未来要推出2TB机型相对成本会额外重要，同时设备内部还要能够塞入更多闪存。
未来预期可见，配备128GB、256GB和512GB储存空间iPhone机型将会继续使用TLC NAND闪存，而1TB、2TB将会改用QLC NAND。
就算业界普遍在使用TLC NAND快闪存储器，有分析师预估预计2023下半年到2024上班年QLC NAND出货量会达到20%左右，这表明就算读取速度较慢，使用量依旧会持续成长。
