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报导指称三星可能与Tesla合作生产下一代全自动驾驶芯片，3nm制程技术大幅提高

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韩国经济日报报道指称，三星将可能与Tesla合作生产下一代全自动驾驶芯片，而相关报道更指称三星的3nm制程良率已经大幅提高至60%。

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三星会长李在镕于今年5月与Tesla执行长Elon Musk进行会谈后，有消息指称双方合作关系将会加深，而相关消息表示三星有可能加入生产Tesla下一代自动驾驶芯片，藉此对应Level 5级别全自动驾驶功能。

在此之前，Tesla仅与台积电合作生产自动驾驶芯片，但接下来有可能同时与台积电、三星合作。

此外，相关消息也指称三星目前已经持续提高其3nm制程良率，有可能藉此吸引NVIDIA、Qualcomm等业者采用。 至于三星接下来预计在2025年推进2nm级别的SF2制程技术，并且计划在2027年推进至1.4nm级别的SF1.4制程技术。

不过，在目前主流使用的4nm制程部分，台积电的良率达80%，而三星的4nm制程良率虽然提高至75%，但仍有一些差距存在。

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