在FMS 2025的技术发布环节，Samsung电子正式宣布重启七年前曾推出的高阶NAND闪存技术Z-NAND。 此次技术升级设置了激进目标：将性能提升至传统NVMe SSD的15倍，同时实现最多80%的功耗降低，旨在精准匹配AI大模型训练、实时数据处理等场景的存储需求。
作为当年对标Intel Optane的创新产品，初代Z-NAND曾凭借独特设计崭露头角。 其采用改良的48层V-NAND架构，以SLC模式运行，通过将数据页大小压缩至2–4KB（普通SSD通常为8–16 KB），实现了小数据块的高速读写，当时性能已达到传统SSD的6–10倍。 与Intel基于全新 3D XPoint 架构的方案不同，初代 Z-NAND 本质是基于成熟 NAND 技术的深度优化版本，兼具性能与成本优势。
新一代Z-NAND将延续DRAM与SSD之间新型存储层的战略定位，重点攻克AIGPU场景的低延迟瓶颈。 Samsung 为此研发的 GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）技术，类似微软 DirectStorage 的底层原理，可让 GPU 直接访问存储数据，大幅减少传统架构中的数据中转延迟。 随着 AI 计算对存储吞吐量的需求呈指数级增长， Samsung此次技术重启意义深远。 若15倍性能目标顺利达成，新一代Z-NAND将为AI训练集群、超算中心等场景提供关键支撑，推动存储技术向更高性能时代迈进。
