高通新一代旗舰行动晶片Snapdragon 8 Elite Gen 6 系列拥有最高5 GHz 的超高时脉，但市场传出有部分手机产品在高温下会出下当机、黑萤幕情况，被外界解读可能与架构或新的2nm 制程存在缺陷有关，对此高通出面否认，表示产品没有任何问题。
高通首席行销官 Don McGuire 在社群网站X 上发文回应大家的疑虑，表示Snapdragon 8 Elite Gen 6 不存在系统过热问题，相关问题OEM 伙伴们在产品推出后会持续调整。大家都永远都是在效能与耗电之间针对各种场景取得最佳平衡。我们会持续努力为使用者们提供最佳体验。
目前高通似乎是将问题归咎于手机推出后，各家厂商还在调校与最佳化，才导致可能某些情况下发生异常个案，没有真正意义上的硬体缺陷与灾情。
Snapdragon 8 Elite Gen 6 系列今年使用相当激进的功耗策略，最大时脉最高可以标上5 GHz，但架构本身属于「Oryon +++」，自2024 年的 Snapdragon 8 Elite，已经连三代使用相同架构，主要性能提升均来自制程提升与时脉。
有于当初Intel 在第13、14 代 Core 处理器上的「缩缸」灾情还历历在目，肇因就是相同晶片架构硬超频上去的结果，让许多用户与网友都将高通的情况进行对比。
