全球晶圆代工巨头台积电在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，公布了备受瞩目的2纳米（N2）制程技术的更多细节资料。 向媒体展示了新技术在性能、功耗以及晶体管密度方面的显著进步。
台积电在会议上着重介绍了 2nm「纳米片（nanosheets）」技术。 官方表示新制程相对于前代制程，性能提升15%，功耗却降低高达30%，能效提升显著。 此外，由于应用了环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术，实现了晶体管密度提高1.15倍。 N2 NanoFlex 技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元，能进一步优化制程性能。
从当前传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）技术过渡到专用的N2纳米片技术，采用堆叠的窄硅带结构，让每条硅带都被栅极包围，相比FinFET技术，能更精确对电流进行控制。 制造商可以结合不同场景来微调参数，有效提升功耗表现。
除此之外，N2制程对比3nm及其衍生制程，在性能的表现上有显著的提升。 因为其优异的表现，猜测包括苹果和英伟达在内的行业巨头会陆续大规模采用N2制程。
新工艺对晶圆的加工要求更高，晶圆的价格也会跟着上涨。 N2 制程晶圆的价格将会比 3nm 制程高出 10% 以上。 目前3nm晶圆的价格约为2万美元，N2晶圆的价格可能在2.5万至3万美元之间（具体取决台积电的定价）。 结合前期N2制程良率和试生产等因素，N2制程的初期产量和成本都会受到限制。
