今年8月闪存高峰会进行期间，WD发表新款NVMe固态硬盘Ultrastar DC SN655，相较于2022年5月推出的Ultrastar DC SN650，两者大部分规格都相似，例如，皆采用PCIe 4.0接口，导入自家开发、支持NVMe 1.4b标准的控制器，以及112层堆叠设计的BiCS5 TLC 3D NAND闪存， 每日写入量为1，外形为2.5吋U.3（可兼容于U.2），以及提供5年有限保修。
而在企业级产品功能的部分，两款产品均内置断电保护（Power Loss Protection）、资料路径全程保护（End-to-End data Path Protection）、可变式储存区块（Variable Sector Sizes），以及支持NVMe管理接口标准NVMe-MI 1.1b。
关于支持的应用场景类型，两者也相同，例如，可用于云数据中心、横向扩展或软件定义解决方案、大数据、NoSQL或分布式数据库、AI/ML深度学习、数据归档。
但SN655在部分项目的配置，略胜SN650一筹。 例如，存储容量有7.68 TB、15.36 TB等选择，还提供3.84 TB的规格，可靠性/平均故障间隔时间（MTBF）达到250万小时（SN650为200万小时），而且本身也提供两个接口（dual-port），具有更高的备援与容错能力。
就存取效能方面而言，15.36 TB机型的SN655循序读写最高为6.8 GB/s与3.7 GB/s（SN650为6600 MB/s与2800 MB/s），随机读写最高为110万IOPS与12.5万IOPS（SN650为97万IOPS与10.9万IOPS），读写延迟为100微秒与10微秒（SN650为120微秒与20微秒）。
在安全销毁等级的搭配上，SN655针对3种存储容量，均提供SE（Secure Erase）、ISE（Instant Secure Erase），以及TCG-Ruby。 前两种安全销毁规格在传统硬盘与固态硬盘相当常见，SE不加密数据，ISE则会加密资料，SN650也不例外; 至于后者，则是信赖运算组织（TCG）储存工作小组订定的一种安全子系统类别（SSC），主要针对的是NVMe与采用其他新技术而成的储存装置，过去硬盘产品较常见的这类规格是TCG Enterprise与TCG Opal。
