储存芯片产业终于熬过了寒冬，正迎来周期性需求改善，DRAM涨价潮即将来临。
据媒体报道，存储器模块产业包括三星电子和美光等主要存储器制造商，计划在2024年第一季度上调DRAM的价格，幅度预计在15%到20%之间。
业界分析认为，此举主要是为了改善盈利状况，其中价格上涨的重点将从NAND Flash转移到DRAM，尤其是DDR4和DDR5这两种类型的DRAM，本轮存储器价格的上涨趋势预计将持续到2024年底。
大摩预计三星将通过内存涨价快速提高利润率，上调三星的盈利预测。
供给触底，需求回升
据报道，由于先前DDR4的库存偏高，且市场价格表现疲弱，预计2024年上半年将重点上调DDR4和DDR5的价格。 12月DRAM的报价仅微幅上调了2至3%，但仍然明显低于3D TLC NAND 10%的涨幅。 至于DDR3，由于产能和需求相对稳定，其价格涨幅预计相对平缓，而NAND的涨幅虽然尚未明确，但预计将继续上调。
韩国DRAM主要制造商在2023年下半年已连续两个季度降低DRAM的生产率，第四季度晶圆产出已达到谷底。 例如，三星第四季度DRAM产出仅约为2023年第一季度的70%左右，同时也逐步增加高级制程的产出。
储存芯片行业熬过了凛冽寒冬，正迎来周期性需求改善，随着手机和服务器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场的供应将继续紧张。 目前上游原厂筹划调涨DRAM报价，下游客户已经开始补低价库存和备货。
从供需方面来看，储存厂商在大幅减产之后，产量远远低于需求，随着着需求的改善，2024年的价格上涨前景将更加明确。
此外，大摩指出，人工智能需求将进一步提振储存芯片价格，虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从2024年开始，边缘需求将变得越来越普遍（移动人工智能），并可能逐渐进入智能手机升级周期。
需求尚未稳定，但内存股已开始进入乐观阶段
但市场需求尚未稳定，DRAM价格能否如同NAND Wafer那样强劲上涨，还需观察农历新年后的市场需求情况。
业内认为，市场实际购买力并未完全复苏，短期内交易需求较为平淡，预计第一季度上半及农历新年前，终端市场将保持观望态度。 第一至二季度将是关键，如果主要应用的出口需求顺利衔接，内存行业的繁荣局面将得以确立，产业供不应求的情况将成为必然。 预计供应给OEM厂的合约价将在第二季度全面反映DRAM的涨势。
大摩认为，随着每股收益同比增长加速，内存股往往表现优异，现在刚刚进入周期中期/乐观阶段，DRAM现货价格同比为-16%，距离峰值水平仍有距离。 而抛开估值不谈，储存芯片周期已经从2023年第一季度的低点恢复，进入2024年将进一步改善。
美股存储器股现在较上一个周期要便宜得多，储存芯片行业将进入周期性增长加速、需求明显提高的时期。
